Bipolartransistor M8550

Elektrische Eigenschaften des Transistors M8550

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des M8550

Der M8550 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor M8550 kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des M8550-B liegt im Bereich von 80 bis 160, die des M8550-C im Bereich von 120 bis 200, die des M8550-D im Bereich von 160 bis 300.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum M8550 ist der M8050.

SMD-Version des Transistors M8550

Der MMBT3702 (SOT-23) ist die SMD-Version des M8550-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor M8550

Sie können den Transistor M8550 durch einen 2SB564A, KSB564A, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG oder MPSW51G ersetzen.
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