Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC8550D
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -35 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KTC8550D
Der KTC8550D wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTC8550D kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC8550 liegt im Bereich von 100 bis 300, die des KTC8550C im Bereich von 100 bis 200.