Bipolartransistor KTC8550D

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC8550D

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KTC8550D

Der KTC8550D wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC8550D kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC8550 liegt im Bereich von 100 bis 300, die des KTC8550C im Bereich von 100 bis 200.

SMD-Version des Transistors KTC8550D

Der 2SA1036 (SOT-23), 2SA1036-Q (SOT-23), 2SA1204 (SOT-89), 2SA1588 (SOT-323), 2SA1621 (SOT-23), KTA1298 (SOT-23), KTA1505 (SOT-23), KTA1505S (SOT-23), KTA1664 (SOT-89), KTC8550S (SOT-23) und KTC8550S-D (SOT-23) ist die SMD-Version des KTC8550D-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC8550D

Sie können den Transistor KTC8550D durch einen BC527, MPS4354, MPS4355, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, PN2907, PN2907A, ZTX549, ZTX550, ZTX949 oder ZTX951 ersetzen.
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