Bipolartransistor MPSW51G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 1 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Der MPSW51G ist die bleifreie Version des MPSW51-Transistors

Der MPSW51G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum MPSW51G ist der MPSW01G.Der 2SA1036 (SOT-23), 2SA1036-P (SOT-23), 2SA1036-Q (SOT-23), 2SA1036-R (SOT-23), BCW67 (SOT-23), BCW67A (SOT-23), BCW67B (SOT-23) und BCW67C (SOT-23) ist die SMD-Version des MPSW51G-Transistors.Sie können den Transistor MPSW51G durch einen BC527-10, BC527-16, BC527-25, MPS4355, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW63, MPSW64, ZTX549, ZTX550, ZTX790A, ZTX949 oder ZTX951 ersetzen.