Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS8550D
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 300
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des MPS8550D
Der MPS8550D wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor MPS8550D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des MPS8550 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des MPS8550B im Bereich von 85 bis 160, die des MPS8550C im Bereich von 120 bis 200.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum MPS8550D ist der MPS8050D.
SMD-Version des Transistors MPS8550D
Der MMBT3702 (SOT-23), MPS8550S (SOT-23) und MPS8550S-D (SOT-23) ist die SMD-Version des MPS8550D-Transistors.
