Bipolartransistor MPS3702

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS3702

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des MPS3702

Der MPS3702 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MPS3702 ist der MPS3703.

SMD-Version des Transistors MPS3702

Der MMBT3702 (SOT-23) ist die SMD-Version des MPS3702-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MPS3702

Sie können den Transistor MPS3702 durch einen MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG oder MPSW51G ersetzen.
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