Bipolartransistor SS8550D

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 1 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der SS8550D wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor SS8550D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des SS8550 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des SS8550B im Bereich von 85 bis 160, die des SS8550C im Bereich von 120 bis 200.Der komplementäre NPN-Transistor zum SS8550D ist der SS8050D.Der MMBT3702 (SOT-23), MPS8550S (SOT-23) und MPS8550S-D (SOT-23) ist die SMD-Version des SS8550D-Transistors.Sie können den Transistor SS8550D durch einen MPS750, MPS750G, MPS8550, MPS8550D oder ZTX949 ersetzen.