Bipolartransistor S8550C

Elektrische Eigenschaften des Transistors S8550C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des S8550C

Der S8550C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor S8550C kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des S8550 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des S8550B im Bereich von 85 bis 160, die des S8550D im Bereich von 160 bis 300.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum S8550C ist der S8050C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor S8550C

Sie können den Transistor S8550C durch einen 2N4403, 2SB564A, 2SB564AY, BCX79, KN2907, KSB564A, KSB564AY, KTC8550, KTC8550C, KTC9012, KTN2907, M8550, M8550-C, MPS2907, MPS2907G, MPS3702, MPS6534, MPS6535, MPS6562, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPS8550C, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, PN200, PN2905, PN2907, S9012, SS8550, SS8550C, ZTX549, ZTX550 oder ZTX949 ersetzen.
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