Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS8550C
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des MPS8550C
Der MPS8550C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor MPS8550C kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des MPS8550 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des MPS8550B im Bereich von 85 bis 160, die des MPS8550D im Bereich von 160 bis 300.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum MPS8550C ist der MPS8050C.
SMD-Version des Transistors MPS8550C
Der MMBT3702 (SOT-23), MPS8550S (SOT-23) und MPS8550S-C (SOT-23) ist die SMD-Version des MPS8550C-Transistors.
