Bipolartransistor S8050C

Elektrische Eigenschaften des Transistors S8050C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des S8050C

Der S8050C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor S8050C kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des S8050 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des S8050B im Bereich von 85 bis 160, die des S8050D im Bereich von 160 bis 300.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum S8050C ist der S8550C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor S8050C

Sie können den Transistor S8050C durch einen 2N4401, 2N5172, 2SD471A, 2SD471AY, KN2222, KN2222A, KSD471A, KSD471AY, KSP2222A, KTC8050, KTC8050C, KTC9013, KTN2222, KTN2222A, M8050, M8050-C, MPS2222, MPS2222A, MPS2222AG, MPS2222G, MPS3414, MPS3416, MPS3704, MPS650, MPS650G, MPS6531, MPS6532, MPS6560, MPS6560G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPS8050C, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, NTE123AP, P2N2222A, P2N2222AG, PN100, PN2219, PN2219A, PN2222, PN2222A, PN3569, S9013, SS8050, SS8050C, ZTX449 oder ZTX450 ersetzen.
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