Bipolartransistor KTC9012

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC9012

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 64 bis 246
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KTC9012

Der KTC9012 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC9012 kann eine Gleichstromverstärkung von 64 bis 246 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC9012D liegt im Bereich von 64 bis 91, die des KTC9012E im Bereich von 78 bis 112, die des KTC9012F im Bereich von 96 bis 135, die des KTC9012G im Bereich von 118 bis 166, die des KTC9012H im Bereich von 144 bis 202, die des KTC9012I im Bereich von 176 bis 246.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTC9012 ist der KTC9013.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC9012

Sie können den Transistor KTC9012 durch einen 2SA708, BC527, KSA708, KSP55, MPS4354, MPS6535, MPS6652, MPS6652G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, MPSW55, MPSW55G oder PN4354 ersetzen.
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