Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB564AY
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 0.8 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
Übergangsfrequenz, min: 110 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SB564AY
Der 2SB564AY wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB564AY kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB564A liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SB564AGR im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB564AO im Bereich von 70 bis 140.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB564AY-Transistor könnte nur mit "B564AY" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB564AY ist der 2SD471AY.