Bipolartransistor M8550-C

Elektrische Eigenschaften des Transistors M8550-C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des M8550-C

Der M8550-C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor M8550-C kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des M8550 liegt im Bereich von 80 bis 300, die des M8550-B im Bereich von 80 bis 160, die des M8550-D im Bereich von 160 bis 300.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum M8550-C ist der M8050-C.

SMD-Version des Transistors M8550-C

Der MMBT3702 (SOT-23) ist die SMD-Version des M8550-C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor M8550-C

Sie können den Transistor M8550-C durch einen 2SB564A, 2SB564AY, KSB564A, KSB564AY, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPS8550C, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, SS8550, SS8550C, ZTX549, ZTX550 oder ZTX949 ersetzen.
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