Bipolartransistor BDP955

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDP955

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 3 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 475
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: SOT-223

Pinbelegung des BDP955

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der BDP955-Transistor ist als "BDP955" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDP955 ist der BDP956.

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