Bipolartransistor BD676G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Der BD676G ist die bleifreie Version des BD676-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum BD676G ist der BD675G.Sie können den Transistor BD676G durch einen 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD676, BD676A, BD676AG, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD776, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.