Bipolartransistor BD676AG

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Der BD676AG ist die bleifreie Version des BD676A-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum BD676AG ist der BD675AG.Sie können den Transistor BD676AG durch einen 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD676, BD676A, BD676G, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD776, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.