Bipolartransistor MJE243

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
• Verlustleistung, max: 15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 180
• Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE243 ist der MJE253.Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des MJE243-Transistors.Sie können den Transistor MJE243 durch einen BD791, MJE243G oder MJE244 ersetzen.