Bipolartransistor FMMT451
Elektrische Eigenschaften des Transistors FMMT451
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 0.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 150
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des FMMT451
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
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