Bipolartransistor FMMT451

Elektrische Eigenschaften des Transistors FMMT451

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des FMMT451

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der FMMT451-Transistor ist als "451" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum FMMT451 ist der FMMT551.
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