Bipolartransistor MJE243G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE243G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE243G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE243G ist der MJE253G.

SMD-Version des Transistors MJE243G

Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des MJE243G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE243G

Sie können den Transistor MJE243G durch einen BD791, MJE243 oder MJE244 ersetzen.
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