Bipolartransistor BD791

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD791

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD791

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD791 ist der BD792.

SMD-Version des Transistors BD791

Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD791-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD791

Sie können den Transistor BD791 durch einen MJE244 ersetzen.
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