Bipolartransistor 2SB1143-U

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1143-U

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 280 bis 560
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB1143-U

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1143-U kann eine Gleichstromverstärkung von 280 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1143 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SB1143-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1143-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1143-T im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1143-U-Transistor könnte nur mit "B1143-U" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1143-U ist der 2SD1683-U.

SMD-Version des Transistors 2SB1143-U

Der 2SB1123 (SOT-89), 2SB1123-U (SOT-89), 2SB1124 (SOT-89), 2SB1124-U (SOT-89) und NZT660A (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1143-U-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1143-U

Sie können den Transistor 2SB1143-U durch einen 2SB986, 2SB986-U, BD190, MJE235, MJE252 oder MJE254 ersetzen.
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