Bipolartransistor BD175-16

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD175-16

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD175-16

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD175-16 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD175 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD175-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD175-6 im Bereich von 40 bis 60.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD175-16 ist der BD176-16.

SMD-Version des Transistors BD175-16

Der 2SC2873 (SOT-89), BDP947 (SOT-223) und FMMT619 (SOT-23) ist die SMD-Version des BD175-16-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD175-16

Sie können den Transistor BD175-16 durch einen 2SD1348, 2SD1683, 2SD1722, 2SD1723, 2SD794, 2SD794A, BD131, BD177, BD179, BD187, BD189, BD785, BD787, BD787G, BD789, BDX35, BDX36, BDX37, KSD794, KSD794A, KSE181, KSE182, MJE181, MJE181G, MJE182, MJE182G, MJE225 oder MJE242 ersetzen.
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