Elektrische Eigenschaften des Transistors BD175-16
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 250
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BD175-16
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor BD175-16 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD175 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD175-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD175-6 im Bereich von 40 bis 60.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum BD175-16 ist der BD176-16.
SMD-Version des Transistors BD175-16
Der 2SC2873 (SOT-89), BDP947 (SOT-223) und FMMT619 (SOT-23) ist die SMD-Version des BD175-16-Transistors.