Bipolartransistor BC858B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC858B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC858B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC858B kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC858 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC858A im Bereich von 110 bis 220, die des BC858C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC858B ist der BC848B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC858B

Sie können den Transistor BC858B durch einen 2SA1037, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA812, 2SB709A, 2SB709A-Q, 2SB709A-R, 2SB709A-S, 2STR2160, 2STR2230, BC807, BC857, BC857B, BC859, BC859B, BC860, BC860B, BCW67, BCW68, BCW72, BCW72LT1, BCW72LT1G, BCX17, FMMT549A, FMMTA55, KSA812, KST55, MMBT200, MMBT4354, MMBTA55 oder SMBTA55 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com