Bipolartransistor BC859

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC859

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC859

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC859 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC859A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC859B im Bereich von 200 bis 450, die des BC859C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC859 ist der BC849.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC859

Sie können den Transistor BC859 durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BC857, BC858, BC860, FMMTA55, KST55, MMBTA55 oder SMBTA55 ersetzen.
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