Bipolartransistor BC560C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC560C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC560C

Der BC560C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC560C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC560 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC560A im Bereich von 110 bis 220, die des BC560B im Bereich von 200 bis 450.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC560C ist der BC550C.

SMD-Version des Transistors BC560C

Der BC857 (SOT-23), BC857C (SOT-23), BC857CW (SOT-323), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23), BC860C (SOT-23), BC860CW (SOT-323), BC860W (SOT-323), KST5087 (SOT-23) und MMBT5087 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC560C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC560C

Sie können den Transistor BC560C durch einen BC251, BC251C, BC307, BC307C, BC416, BC416C, BC556, BC556C, BC557 oder BC557C ersetzen.
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