Bipolartransistor BC556

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -65 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 110 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Rauschzahl, max: 2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC556 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC556 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC556A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC556B im Bereich von 200 bis 450, die des BC556C im Bereich von 420 bis 800.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC556 ist der BC546.Der BC856 (SOT-23) und BC856W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC556-Transistors.