Bipolartransistor BC857CW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC857CW

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC857CW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC857CW kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC857AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC857BW im Bereich von 200 bis 450, die des BC857W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC857CW ist der BC847CW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC857CW

Sie können den Transistor BC857CW durch einen BC856CW, BC856W, BC860CW oder BC860W ersetzen.
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