Bipolartransistor BC416

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC416

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC416

Der BC416 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC416 kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC416B liegt im Bereich von 180 bis 460, die des BC416C im Bereich von 380 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC416 ist der BC414.

SMD-Version des Transistors BC416

Der BC857 (SOT-23), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23) und BC860W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC416-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC416

Sie können den Transistor BC416 durch einen BC251, BC307, BC556, BC557 oder BC560 ersetzen.
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