Bipolartransistor BC416C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC416C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 380 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC416C

Der BC416C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC416C kann eine Gleichstromverstärkung von 380 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC416 liegt im Bereich von 180 bis 800, die des BC416B im Bereich von 180 bis 460.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC416C ist der BC414C.

SMD-Version des Transistors BC416C

Der BC857 (SOT-23), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23), BC860W (SOT-323), KST5087 (SOT-23) und MMBT5087 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC416C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC416C

Sie können den Transistor BC416C durch einen BC251, BC251C, BC307, BC307C, BC556, BC557 oder BC560 ersetzen.
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