Bipolartransistor BC307C

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 380 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
• Rauschzahl, max: 10 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC307C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC307C kann eine Gleichstromverstärkung von 380 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC307 liegt im Bereich von 120 bis 800, die des BC307A im Bereich von 120 bis 220, die des BC307B im Bereich von 180 bis 460.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC307C ist der BC237C.Der BC857 (SOT-23), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23), BC860W (SOT-323), KST5087 (SOT-23) und MMBT5087 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC307C-Transistors.Sie können den Transistor BC307C durch einen BC251, BC251C, BC416, BC416C, BC556, BC557 oder BC560 ersetzen.