Bipolartransistor BC857W

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 110 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Rauschzahl, max: 2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-323

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC857W kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC857AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC857BW im Bereich von 200 bis 450, die des BC857CW im Bereich von 420 bis 800.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC857W ist der BC847W.Sie können den Transistor BC857W durch einen BC856W oder BC860W ersetzen.