Bipolartransistor BC251C

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 380 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 320 MHz
• Rauschzahl, max: 2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC251C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC251C kann eine Gleichstromverstärkung von 380 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC251 liegt im Bereich von 120 bis 800, die des BC251A im Bereich von 120 bis 220, die des BC251B im Bereich von 180 bis 460.Der BC857 (SOT-23), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23), BC860W (SOT-323), KST5087 (SOT-23) und MMBT5087 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC251C-Transistors.Sie können den Transistor BC251C durch einen BC307, BC307C, BC416, BC416C, BC556, BC557 oder BC560 ersetzen.