Bipolartransistor BC557C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC557C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC557C

Der BC557C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC557C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC557 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC557A im Bereich von 110 bis 220, die des BC557B im Bereich von 200 bis 450.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC557C ist der BC547C.

SMD-Version des Transistors BC557C

Der BC857 (SOT-23), BC857C (SOT-23), BC857CW (SOT-323), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23), BC860C (SOT-23), BC860CW (SOT-323), BC860W (SOT-323), KST5087 (SOT-23) und MMBT5087 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC557C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC557C

Sie können den Transistor BC557C durch einen BC251, BC251C, BC307, BC307C, BC416, BC416C, BC556, BC556C, BC560 oder BC560C ersetzen.
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