Bipolartransistor BC860W

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 110 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Rauschzahl, max: 1 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-323

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC860W kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC860AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC860BW im Bereich von 200 bis 450, die des BC860CW im Bereich von 420 bis 800.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC860W ist der BC850W.Sie können den Transistor BC860W durch einen BC856W oder BC857W ersetzen.