Bipolartransistor BC251

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 120 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 320 MHz
• Rauschzahl, max: 2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC251 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC251 kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC251A liegt im Bereich von 120 bis 220, die des BC251B im Bereich von 180 bis 460, die des BC251C im Bereich von 380 bis 800.Der BC857 (SOT-23), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23) und BC860W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC251-Transistors.Sie können den Transistor BC251 durch einen BC307, BC556, BC557 oder BC560 ersetzen.