Bipolartransistor BC556C

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -65 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 420 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Rauschzahl, max: 2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC556C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC556C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC556 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC556A im Bereich von 110 bis 220, die des BC556B im Bereich von 200 bis 450.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC556C ist der BC546C.Der BC856 (SOT-23), BC856C (SOT-23), BC856CW (SOT-323) und BC856W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC556C-Transistors.