Bipolartransistor BC550C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC550C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC550C

Der BC550C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC550C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC550 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC550A im Bereich von 110 bis 220, die des BC550B im Bereich von 200 bis 450, die des BC550CG im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC550C ist der BC560C.

SMD-Version des Transistors BC550C

Der BC847 (SOT-23), BC847C (SOT-23), BC847CW (SOT-323), BC847W (SOT-323), BC850 (SOT-23), BC850C (SOT-23), BC850CW (SOT-323) und BC850W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC550C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC550C

Sie können den Transistor BC550C durch einen BC237, BC237C, BC414, BC414C, BC546, BC546C, BC547 oder BC547C ersetzen.

Bleifreie Version

Der BC550CG-Transistor ist die bleifreie Version des BC550C.
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