Bipolartransistor BC257B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC257B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC257B

Der BC257B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC257B kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC257 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC257A im Bereich von 110 bis 220, die des BC257C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC257B ist der BC167B.

SMD-Version des Transistors BC257B

Der 2SA812 (SOT-23), BC857 (SOT-23), BC857B (SOT-23), BC857BW (SOT-323), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23), BC860B (SOT-23), BC860BW (SOT-323), BC860W (SOT-323), BCW72 (SOT-23), BCW72LT1 (SOT-23), BCW72LT1G (SOT-23), KSA812 (SOT-23), KST5086 (SOT-23) und MMBT5086 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC257B-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC257B

Sie können den Transistor BC257B durch einen 2SA1127, 2SA1175, 2SA1246, 2SA1316, 2SA1317, 2SA1318, 2SA1391, 2SA1392, 2SA1481, 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528, 2SA1529, 2SA608N, 2SA733, 2SA990, 2SA991, 2SB1116, 2SB1229, 2SB560, 2SB726, 2SB892, 2SB985, A733, H733, KSA733C, KSB1116, KSB1116S oder NTE193A ersetzen.
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