Bipolartransistor BC860BW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC860BW

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC860BW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC860BW kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC860AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC860CW im Bereich von 420 bis 800, die des BC860W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC860BW ist der BC850BW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC860BW

Sie können den Transistor BC860BW durch einen BC807W, BC856BW, BC856W, BC857BW, BC857W oder FJX733 ersetzen.
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