Bipolartransistor 2SA608N

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA608N

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 560
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA608N

Der 2SA608N wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA608N kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA608N-F liegt im Bereich von 160 bis 320, die des 2SA608N-G im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA608N-Transistor könnte nur mit "A608N" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA608N ist der 2SC536N.

SMD-Version des Transistors 2SA608N

Der 2SA1037 (SOT-23), 2SA812 (SOT-23), FJX733 (SOT-323) und KSA812 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA608N-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA608N

Sie können den Transistor 2SA608N durch einen 2SA1246, 2SA1317, 2SA1318, 2SA1391, 2SA1392, 2SA1481, 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528, 2SA1529, 2SB1116, 2SB1229, 2SB560, 2SB892, 2SB985, A733, H733, KSA733C, KSB1116 oder KSB1116S ersetzen.
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