Bipolartransistor 2SA1175

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1175

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 600
  • Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92S

Pinbelegung des 2SA1175

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1175 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1175-EF liegt im Bereich von 250 bis 400, die des 2SA1175-FF im Bereich von 200 bis 320, die des 2SA1175-HF im Bereich von 170 bis 270, die des 2SA1175-JF im Bereich von 135 bis 220, die des 2SA1175-KF im Bereich von 300 bis 600, die des 2SA1175-RF im Bereich von 110 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1175-Transistor könnte nur mit "A1175" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1175 ist der 2SC2785.

SMD-Version des Transistors 2SA1175

Der 2SA812 (SOT-23) und KSA812 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1175-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1175

Sie können den Transistor 2SA1175 durch einen 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528, 2SA1529, 2SA733, A733, H733 oder KSA733C ersetzen.
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