Bipolartransistor 2SB1116

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 135 bis 600
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SB1116 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1116 kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1116-K liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1116-L im Bereich von 135 bis 270, die des 2SB1116-U im Bereich von 300 bis 600.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1116-Transistor könnte nur mit "B1116" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1116 ist der 2SD1616.Der 2SB1115 (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23), MMBTA55 (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) und SMBTA55 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB1116-Transistors.Der KSB1116 ist die TO-92-Version des 2SB1116.Sie können den Transistor 2SB1116 durch einen KSB1116 oder KSB1116S ersetzen.