Bipolartransistor 2SA1316

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.4 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 700
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SA1316 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1316 kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 700 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1316-BL liegt im Bereich von 350 bis 700, die des 2SA1316-GR im Bereich von 200 bis 400.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1316-Transistor könnte nur mit "A1316" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1316 ist der 2SC3329.Sie können den Transistor 2SA1316 durch einen 2SA1049, 2SA1269, 2SA1285, 2SA1285A, 2SA970 oder 2SB726 ersetzen.