Bipolartransistor 2SB726

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 180 bis 700
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SB726 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB726 kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 700 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB726-R liegt im Bereich von 180 bis 360, die des 2SB726-S im Bereich von 260 bis 520, die des 2SB726-T im Bereich von 360 bis 700.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB726-Transistor könnte nur mit "B726" gekennzeichnet sein.Sie können den Transistor 2SB726 durch einen 2SA1285 oder 2SA1285A ersetzen.