Bipolartransistor 2SA1317

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1317

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.2 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 560
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92S

Pinbelegung des 2SA1317

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1317 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1317-R liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1317-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SA1317-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SA1317-U im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1317-Transistor könnte nur mit "A1317" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1317 ist der 2SC3330.

SMD-Version des Transistors 2SA1317

Der 2SA812 (SOT-23), FJX733 (SOT-323) und KSA812 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1317-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1317

Sie können den Transistor 2SA1317 durch einen 2SA1318, 2SA1391, 2SA1392, 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528, 2SA1529, 2SB1229, 2SB560, 2SB892 oder 2SB985 ersetzen.
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