Bipolartransistor MJ1000
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ1000
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 90 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des MJ1000
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ1000
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