Bipolartransistor MJ11014G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11014G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 90 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
- Verlustleistung, max: 200 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
- Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
- Der MJ11014G ist die bleifreie Version des MJ11014-Transistors
Pinbelegung des MJ11014G
Equivalent circuit
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11014G
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