Bipolartransistor MJ11028G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11028G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 50 A
  • Verlustleistung, max: 300 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 18000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der MJ11028G ist die bleifreie Version des MJ11028-Transistors

Pinbelegung des MJ11028G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJ11028G equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ11028G ist der MJ11029G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11028G

Sie können den Transistor MJ11028G durch einen MJ11028, MJ11030, MJ11030G, MJ11032 oder MJ11032G ersetzen.
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