Bipolartransistor TIP601
Elektrische Eigenschaften des Transistors TIP601
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
- Verlustleistung, max: 100 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 20000
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des TIP601
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor TIP601
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com