Bipolartransistor MJ11012

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
• Verlustleistung, max: 200 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ11012 ist der MJ11011.Sie können den Transistor MJ11012 durch einen MJ11012G, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11028, MJ11028G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032 oder MJ11032G ersetzen.Der MJ11012G-Transistor ist die bleifreie Version des MJ11012.