Bipolartransistor MJ11030

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11030

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 90 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 50 A
  • Verlustleistung, max: 300 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 18000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ11030

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJ11030 equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ11030 ist der MJ11031.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11030

Sie können den Transistor MJ11030 durch einen MJ11030G, MJ11032 oder MJ11032G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJ11030G-Transistor ist die bleifreie Version des MJ11030.
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